Assalamuallaikum wr.wb
Selamat malem sobat dunia maya sekalian,, tidak terasa nih sob, sudah masuk sekolah lagi ya. bagaimana keadaan teman-teman ya (Efek kelamaan libur 1 bulan lebih ). ya udah sekarang saya mau share yang berkaitan tentang Jurusan TKJ yaitu Random Access Memory atau RAM, mau tau apa ? disimak ya
Kenapa saya mengulas tentang beliau, yup karena beliau adalah Orang yang menemukan RAM yang dipatenkan tahun 1968. RAM merupakan salah satu bagian terpenting alat elektronika seperti: komputer, laptop, smartphone, dll. Robert lahir tanggal 5 September 1932 di Terell, Texas, Amerika Serikat.
Dia termasuk orang yang cerdas, karena berhasil memperoleh 2 gelar di Southern Methodist University dalam waktu yang hampir sama yaitu, gelar B.S (Bachelor of Science) pada tahun 1954 dan M.S (Magister of Science) pada tahun 1956. Setelah selesai dengan pendidikannya, dia kemudian bekerja diInternational Business Machine (IBM). Pada tahun 1966 Dia menjadi anggota tim IBM dalam melakukan penelitian terhadap sel memori enam transistor.
Solusi penelitiannya adalah Sel DRAM yaitu transistor efek medan tunggal yang melakukan pembacaan dan penulisan informasi yang disimpan sebagai muatan listrik pada kapasitor. Dia juga termasuk orang pertama yang menyadari potensi luar biasa dari perampingan MOSFET atau transistor efek. Pada tahun 1974 ia dan rekan-rekannya merumuskan Teori Sclaling yaitu teori yang pada dasarnya mengamati bahwa MOFSET akan terus berfungsi sebagai saklar tegangan yang dikendalikan sementara oleh tokoh kunci (ex: kecepatan operasi, efisiensi energi, dll). Hal ini pula yang mendasari Hukum Moore.
Dari sinilah RAM terus berkembang hingga sekarang. Perkembangan RAM:
1.) SARM (Static Random Acces Memory)
2.) NV-RAM (Non-Volatile Random Access Memory
3.) DRAM (Dynamic Random Access Memory)
4.) FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memoty)
5.) EDO RAM (Extended Data Output Random Access Memory)
6.) DR DRAM (Direct Rambus Dynamic Random Access Memory)
7.) SD RAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)
8.) DDR (Double Data Rate)
9.) DDR2 (Double Data Rate 2)
10.) DDR3 (Double data Rate 3)
Sekian nih sob, ulasan dari saya tentang Si Jenius ini, jika ada salah kata mohon dimaafkan ya.. Jangan lupa tunggu artikel berikutnya dari saya..
Wassalamuallaikum wr.wb
Selamat malem sobat dunia maya sekalian,, tidak terasa nih sob, sudah masuk sekolah lagi ya. bagaimana keadaan teman-teman ya (Efek kelamaan libur 1 bulan lebih ). ya udah sekarang saya mau share yang berkaitan tentang Jurusan TKJ yaitu Random Access Memory atau RAM, mau tau apa ? disimak ya
| Robert H. Dennard | |
|---|---|
Dr. Robert H. Dennard, IBM Fellow, beside his drawing of a DRAM cell (circuit schematic)
| |
| Notable awards | Harvey Prize (1990) IEEE Edison Medal (2001) IEEE Medal of Honor (2009) Kyoto Prize (2013) |
Kenapa saya mengulas tentang beliau, yup karena beliau adalah Orang yang menemukan RAM yang dipatenkan tahun 1968. RAM merupakan salah satu bagian terpenting alat elektronika seperti: komputer, laptop, smartphone, dll. Robert lahir tanggal 5 September 1932 di Terell, Texas, Amerika Serikat.
Dia termasuk orang yang cerdas, karena berhasil memperoleh 2 gelar di Southern Methodist University dalam waktu yang hampir sama yaitu, gelar B.S (Bachelor of Science) pada tahun 1954 dan M.S (Magister of Science) pada tahun 1956. Setelah selesai dengan pendidikannya, dia kemudian bekerja diInternational Business Machine (IBM). Pada tahun 1966 Dia menjadi anggota tim IBM dalam melakukan penelitian terhadap sel memori enam transistor.
Solusi penelitiannya adalah Sel DRAM yaitu transistor efek medan tunggal yang melakukan pembacaan dan penulisan informasi yang disimpan sebagai muatan listrik pada kapasitor. Dia juga termasuk orang pertama yang menyadari potensi luar biasa dari perampingan MOSFET atau transistor efek. Pada tahun 1974 ia dan rekan-rekannya merumuskan Teori Sclaling yaitu teori yang pada dasarnya mengamati bahwa MOFSET akan terus berfungsi sebagai saklar tegangan yang dikendalikan sementara oleh tokoh kunci (ex: kecepatan operasi, efisiensi energi, dll). Hal ini pula yang mendasari Hukum Moore.
Dari sinilah RAM terus berkembang hingga sekarang. Perkembangan RAM:
1.) SARM (Static Random Acces Memory)
2.) NV-RAM (Non-Volatile Random Access Memory
3.) DRAM (Dynamic Random Access Memory)
4.) FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memoty)
5.) EDO RAM (Extended Data Output Random Access Memory)
6.) DR DRAM (Direct Rambus Dynamic Random Access Memory)
7.) SD RAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)
8.) DDR (Double Data Rate)
9.) DDR2 (Double Data Rate 2)
10.) DDR3 (Double data Rate 3)
Sekian nih sob, ulasan dari saya tentang Si Jenius ini, jika ada salah kata mohon dimaafkan ya.. Jangan lupa tunggu artikel berikutnya dari saya..
Wassalamuallaikum wr.wb
Posts
No comments:
Post a Comment